sf666飞利浦推出SOT666SSMSMD封装的高性能低VCBISS晶体管
来源:51传奇私服发布网 | 更新时间:2025-10-14
上传日期：20120509 10:49:20
飞利浦推出采用无损耗封装的高性能汽车TrMOS MOSFET
飞利浦推出SO T666/SSM SM D 封装的高性能低V C BISS晶体管日前，皇家飞利浦电子集团在创新性的低V CBISS晶体管产品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成员，从而成为全球首个推出1612尺寸SO T666/SSM 封装BISS晶体管的半导体厂商。PBSS4240V 和PBSS5240V 的集电极电流高达2A，具有一流的性能，并在功能增强的同。
飞利浦推出高性能Lux硅／软件安全解决方案
（论文）飞利浦推出ot666／— 封装的晶体管
内容提示：飞利浦推出SO T666/SSM SM D 封装的高性能低V C BISS晶体管日前，皇家飞利浦电子集团在创新性的低V CBISS晶体管产品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成员，从而成为全球首个推出1612尺寸SO T666/SSM 封装BISS晶体管的半导体厂商。PBSS4240V 和PBSS5240V 的集电极电流高达2A，具有一流的性能，并在功能增强的同时，相对其他较为著名的SO T23封装1A器件还节省了41% 的PCB空间。PBSS4240V 和PBSS5240V 还提供极低的集电极发射极电阻（RCEt = 190 W ），由于产生热量更少，还可提高整体电路的效率。SO T666BISS晶体管非常适用于电源管理应